Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (186)

FDC2512 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 425 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 344пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 144 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD120AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 21A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD390N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 26А 63Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.6нКл Входная емкость: 1285пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD770N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 56.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 765пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой N-канальный 150В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86252 Транзистор полевой N-канальный 150В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDH055N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 158A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 429Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 9445пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMC2523P Транзистор полевой P-канальный 150В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86240 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 51 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86259P Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86260 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86261P Транзистор полевой P-канальный 150В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86262P Полевой транзистор P-канальный 150В 2A 8-Pin MLP EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 307 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±25В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 885пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86200 Транзистор полевой N-канальный 150В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2715пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86200DC Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 42нКл @ 10В Входная емкость: 2955пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"