Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
IRFD9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFD9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFD9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 560мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFH5006TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4175пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFI1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI4510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 2998пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI510GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI520GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI530GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI630GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"