Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (774)

TPC8119 Транзистор полевой P-канальный 30В 10А 1.9Вт (рекомендуемая замена: TPC8125, TPC8126, TPC8123)

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10А

Мощность макс.:

1.9 Вт

Тип транзистора:

P-канал

Сообщить о поступлении

TPHR9003NL,L1Q(M Полевой транзистор N-канальный 30В 220A 8-Pin SOP Advance

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

220A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

TSM3401CX RFG Транзистор полевой P-канальный 30В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Taiwan Semiconductor Co., Ltd

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

2.7нКл

Входная емкость:

551.57пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

TSM3404CX RFG Полевой транзистор N-канальный 30В 5.8A SOT23

Производитель:

Taiwan Semiconductor Co., Ltd

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

13.8нКл

Входная емкость:

400.96пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61N03FTA Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

4.1нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61P03FTA Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

4.8нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM64P03XTA Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

MSOP8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

825пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM66P03N8TA Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.9 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.25A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1979пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3A01E6TA Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.4 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.9нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3A01FTA Транзистор полевой N-канальный 30В 1.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.9нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3A14FTA Полевой транзистор N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

8.6нКл

Входная емкость:

448пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3B14FTA Полевой транзистор N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

568пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3F30FHTA Транзистор полевой N-канальный 30В 3.8A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

950мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

318пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP3A13FTA Полевой транзистор P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

210 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

206пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"