Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6822)

IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 4220пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

3 500 шт

Цена от:

от 108,60₽

IRFB3004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

42 шт

Под заказ:

750 шт

Цена от:

от 288,91₽

IRFB3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

392 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 185,99₽

IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

150 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 363,74₽

IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 635 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 70,48₽

IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

10 000 шт

Цена от:

от 101,45₽

IRFB3207ZGPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

85 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 349,37₽

IRFB3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6920пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

204 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 105,26₽

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

9 000 шт

Цена от:

от 67,55₽

IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

577 шт

Под заказ:

5 200 шт

Цена от:

от 54,41₽

IRFB3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

390 шт

Под заказ:

10 000 шт

Цена от:

от 90,10₽

IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

45 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 176,68₽

IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

64 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 127,62₽

IRFB3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

503 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 57,27₽

IRFB38N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

659 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 150,73₽

IRFB4019PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17А 80Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

40 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 102,69₽

IRFB4020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 200 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 83,53₽

IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

867 шт

Под заказ:

8 300 шт

Цена от:

от 126,73₽

IRFB4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

173 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 367,00₽

IRFB4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

12 781 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 93,04₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"