Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

IRFBE30SPBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBF20LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF30STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 11 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD020PBF Транзистор полевой N-канальный 50В 2.4A Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3А 1.3Вт, 0.25 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD123PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 490мА Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 370мА, 1Вт Производитель: Vishay Корпус: HVM DIP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 370мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"