Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
IRFB3307PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFB9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBA1405PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 174A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 174A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 5480пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC20SPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC20STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40ASTRRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBC40SPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFBE20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 530пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"