Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

FDP083N15A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 6040пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP085N10A-F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 96 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2695пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP150N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP5800 Транзистор полевой N-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 242Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 9160пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP6030BL Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP7030BL Транзистор полевой N-канальный 30В 60A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8447L Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 132нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8874 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 114 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8880 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8896 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF045N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 67 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 67A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.1A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2734 Транзистор полевой N-канальный 250В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS3580 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3590 Транзистор полевой N-канальный 80В 6.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3692 Полевой транзистор N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 746пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"