Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SIRA06DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA10DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 2425пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIRA14DP-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 58A
Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм
Мощность макс.: 31.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS402DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS412DN-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 15.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 435пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIS476DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SISA04DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 2.15 мОм
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 77нКл
Входная емкость: 3595пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SISA12ADN-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
Мощность макс.: 28Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 2070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIZ980DT-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20А
Тип транзистора: N-канальный
SPD50P03LGBTMA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) TO-252 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 50А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
SSM3K333R,LF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6А
Тип транзистора: N-канальный
STB155N3H6
Транзистор полевой N-канальный 30В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 3650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB155N3LH6
Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 110Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.