Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (774)

SI7149ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 50 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

5125пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7617DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7625DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

126нКл

Входная емкость:

4427пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7658ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

27.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

846пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA449DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

2140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA483DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

19Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR158DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

4980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

29.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1515пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR402DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2071пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

7.9 мОм

Мощность макс.:

41.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR466DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA00DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

1 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

11700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA04DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.15 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA06DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIRA10DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

2425пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"