Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (716)
ZXMN10A07FTA Транзистор полевой N-канальный 100В 0.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.9нКл Входная емкость: 138пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A07ZTA Транзистор полевой N-канальный 100В 1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.9нКл Входная емкость: 138пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A08E6TA Полевой транзистор N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A08E6TC Полевой транзистор N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A08GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 2A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A09KTC Транзистор полевой N-канальный 100В 5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 2.15Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1313пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A11GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4А Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A11KTC Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 274пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A25GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 2.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 859пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка ZXMN10A25K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.2A Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 497пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP10A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 600mА, 10В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 3.5нКл @ 10В Входная емкость: 141пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Новинка ZXMP10A17 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.6A автомобильного применения Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6А Тип транзистора: P-канальный Особенности: Automotive
ZXMP10A17GTA Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 1.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.7нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP10A18GTA Транзистор полевой P-канальный 100В 3A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXMP10A18KTC Полевой транзистор P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2.17Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"