Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD23N06-31-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 21.4 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21.4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 31.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 136Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2650пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUD50P06-15L-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 4950пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-07L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 6.9 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 345нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM110P06-08L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUM55P06-19L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 55A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Surface Mount
SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 9.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Through Hole
SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 90A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole
SVD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
TK100A06N1,S4X(S Транзистор полевой N-канальный 60В 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 263A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK30A06N1,S4X(S Полевой транзистор N-канальный 60В 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK30E06N1,S1X(S Полевой транзистор N-канальный 60В 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK40E06N1,S1X(S Транзистор полевой N-канальный 60В 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK58A06N1,S4X(S Транзистор полевой N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 105A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TK58E06N1,S1X(S Полевой транзистор N-канальный 60В 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 105A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"