Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (775)
Акция SI4435DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4А 5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4459ADY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 29A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4686DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.2A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4800BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 18.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 13нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4825DDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4835DDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 13A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 5.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 28A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 6.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 3230пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4894BDY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1580пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5468DC-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7114ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7129DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 35 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11.4 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3345пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7135DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 8650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 564 шт
Цена от:
от 8,03
SI7139DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 4230пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"