Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SUP70101EL-GE3
Транзистор полевой P-канальный 100В 120А TO-220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SUP85N10-10-E3
Транзистор полевой N-канальный 100В 85A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 85A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 3.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 6550пФ
Тип монтажа: Through Hole
TK100A10N1,S4X(S
Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 207A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
TK40A10N1,S4X(S
Полевой транзистор N-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
TK40E10N1,S1X(S
Транзистор полевой N-канальный 100В 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
TK65A10N1,S4X(S
Полевой транзистор N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 148A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
TK65E10N1,S1X(S
Транзистор полевой N-канальный 100В 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 148A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
TN2510N8-G
Транзистор полевой N-канальный 100В 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель: Microchip Technology Inc.
Корпус: SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 730мА(Tj)
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 125пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
TP2510N8-G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель: Microchip Technology Inc.
Корпус: TO-243AA (SOT89)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 480мА(Tj)
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 1mA
Входная емкость: 125пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
VS-FC420SA10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А, 568Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-227
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190А
Мощность макс.: 568Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Chassis Mount
ZVN2110A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 320мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN2110GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 500мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 4 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3310FTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 0.1A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 100мА
Сопротивление открытого канала: 10 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4210A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 450 мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 450мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVN4210GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 800мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 800мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4310GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.67A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.67A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVNL110GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 600мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 600мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 75пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2110GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 310мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 310мА
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZVP3310A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.14А 0.625Вт
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 140мА
Сопротивление открытого канала: 20 Ом
Мощность макс.: 625мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZVP3310FTA
Транзистор полевой P-канальный 100В 0.075A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75мА
Сопротивление открытого канала: 20 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.