Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STL100N6LF6
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 8900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL20N6F7
Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Тип транзистора: N-канал
STN3NF06
Полевой транзистор N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 3.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STN4438
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8А
Тип транзистора: N-канальный
STN4NF06L
Полевой транзистор N-канальный 60В 4A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 3.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STP10P6F6
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP16NF06L
Транзистор полевой N-канальный 60В 16A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 345пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP20NF06L
Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 7.5нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP260N6F6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 183нКл
Входная емкость: 11400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP36NF06FP
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 18 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP60NF06FP
Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 30А, 10В
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 66нКл @ 10В
Входная емкость: 1810пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
STP60NF06L
Транзистор полевой N-канальный 60В 60A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80NF06
Транзистор полевой N-канальный 60В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3850пФ
Тип монтажа: Through Hole
STS3P6F6
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3А
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: P-канальный
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS5NF60L
Транзистор полевой N-канальный 60В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 1250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS7NF60L
Полевой транзистор N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Заряд затвора: 34нКл @ 4.5В
Входная емкость: 1700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
SUD08P06-155L-GE3
Транзистор полевой P-канальный 60В 8.4A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8.4A
Сопротивление открытого канала: 155 мОм
Мощность макс.: 1.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.