Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (775)
SI3456DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3457CDV-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3457CDV-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4126DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 39 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 2.75 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4405пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4128DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 10.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4134DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 14A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 846пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4160DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25.4A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2071пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 19.3A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19.3A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1155пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4166DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 30.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30.5A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 6.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4386DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 9.5A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4425BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI4425DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 19.7А 5.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19.7A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4431CDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 9A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1006пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"