Одиночные MOSFET транзисторы

₇₆₉

Напряжение исток-сток макс.: 30В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1895)
Surface Mount (3492)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (769)

SI2366DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A SOT-23

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

36 мОм @ 4.5А, 10В

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

10нКл @ 10В

Входная емкость:

335пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2393DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.5А

Тип транзистора:

P-канальный

Сообщить о поступлении

SI3400A-TP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Micro Commercial Components

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3410DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

4.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3456DDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

74 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

74 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4126DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 39A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

39A

Сопротивление открытого канала:

2.75 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

105нКл

Входная емкость:

4405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4128DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4134DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

846пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4160DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

25.4A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2071пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19.3A

Сопротивление открытого канала:

7.9 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

3545пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4166DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30.5A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

6.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

985пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4386DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.5123 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"