Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SQ2361ES-T1_GE3
Полевой транзистор P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель: Vishay
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.8A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
SQ2364EES-T1_GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В SOT-23
Производитель: Vishay
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
STB16NF06LT4
Транзистор полевой N-канальный 60В 16A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 345пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB45NF06T4
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 38 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 980пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB60NF06LT4
Транзистор полевой N-канальный 60В 60A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD10P6F6
Транзистор полевой P-канальный 60В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD10PF06T4
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 10нКл @ 5В
Входная емкость: 350пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
STD12NF06LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD12NF06T4
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD16NF06LT4
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 24 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 7.5нКл
Входная емкость: 370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD20NF06L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 24А
Тип транзистора: N-канальный
STD30NF06T4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 28A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 1750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD35NF06LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 17 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD35NF06T4
Транзистор полевой N-канальный 60В 35A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD35P6LLF6
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 35A
Тип транзистора: P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
STD80N6F6
Транзистор полевой N-канальный 60В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 7480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STF40NF06
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 920пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.