Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
SI7461DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7465DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7478DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7478DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7850DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7850DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIDR626LEP-T1-RE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 218A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAK® SO-8 Single Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 218А Тип транзистора: N-канальный
SIS862DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.6В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SN7002NH6327 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
SN7002NH6433XTMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
SN7002WH6327 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.23A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.23A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
SPB80P06PGATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPD08P06PGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.83A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.83А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPD30P06PG Полевой транзистор P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: P-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1535пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP08P06PHXKSA1 Полевой транзистор P-канальный 60В 8.8A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Through Hole
SPP80P06PHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole
SQ2308CES-T1_GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Aвтомобильного применения Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 5.3нКл Входная емкость: 205пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"