Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (716)
SI7489DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAK® SO-8 Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7489DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA416DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 83 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIB456DK-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-75-6L Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR698DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.5 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR804DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR846ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR870ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2866пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR876ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 10.8 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR882ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1975пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS890DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 802пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPD15P10PGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPD15P10PLGBTMA1 Транзистор полевой P-канальный 100В 15A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
SPP15P10PHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPP15P10PLHXKSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole
STB100N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB120NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 233нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB35NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB40NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"