Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
BSZ120P03NS3EGATMA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A 2.1Вт, 52Вт макс. SMD PG-TSDSON-8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TSDSON
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 40А
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSZ123N08NS3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A TSDSON-8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: 8-PQFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 40A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R7-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 324Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 92.1нКл @ 5В
Входная емкость: 15340пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y12-40E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 52A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 52A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 9.8нКл
Входная емкость: 1423пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y15-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 53A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 95Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 17.2нКл @ 5В
Входная емкость: 2603пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y19-55B,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 46A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 17.3 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 18нКл @ 5В
Входная емкость: 1992пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FDN338P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.6А
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.6А
Тип транзистора: P-канальный
FMH23N50E
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В, 23А, 315Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-3P(Q)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 23A
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
FMV12N50E
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 60Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 12A
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
FQB27N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25А 180Вт
Производитель: Noname
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 25А
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
IPA60R280P7XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
IPA80R280P7XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 30Вт, CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220 Full Pack
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 17А
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPA80R360P7XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 13А 30Вт, CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO220 Full Pack
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 13А
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPA80R650CEXKSA2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPB010N06NATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 180A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7049 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.