Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
Акция IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 368 шт
Цена от:
от 64,25
Акция IRF3710ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
757 шт
Цена от:
от 108,98
Акция IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 160А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
768 шт
Цена от:
от 303,74
Акция IRF3808SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 742 шт
Цена от:
от 95,96
Акция IRF4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF4905LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF4905SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт, 0.02 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 073 шт
Цена от:
от 86,43
IRF510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF510SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF510STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF5210LPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 2780пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF5210SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 2780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
17 489 шт
Цена от:
от 70,04
Акция IRF5305SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 3.8Вт, 0.06 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 174 шт
Цена от:
от 63,54
IRF530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 176 шт
Цена от:
от 45,00
IRF530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF530SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 213 шт
Цена от:
от 30,95
IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 213 шт
Цена от:
от 36,25
IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"