Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (716)
PSMN069-100YS,115 Полевой транзистор, N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 72.4 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 645пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN075-100MSEX Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 71 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.4нКл Входная емкость: 773пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN4R8-100BSEJ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В 120 А 405 Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120А Мощность макс.: 405Вт Тип транзистора: N-канальный
PSMN5R6-100BS,118 Полевой транзистор N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 141нКл Входная емкость: 8061пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN8R7-100YSFX Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 100В Сопротивление открытого канала: 9МОм Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
RFP12N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
SFP9530 Транзистор полевой P-канальный 100В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Through Hole
SI1480DH-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 234 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2328DS-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.15 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI2328DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 1.15 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.15A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Тип монтажа: Surface Mount
Новинка SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.1A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4090DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 19.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19.7A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4100DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4100DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4190ADY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 29.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7456DDP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 27.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 27.8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"