Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (749)

PMPB85ENEAX Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Aвтомобильного применения 6-Pin DFN-MD EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN6 2020 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV120ENEAR Полевой транзистор N-канальный 60В 2.1A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 123 мОм Мощность макс.: 513мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV450ENEAR Транзистор полевой N-канальный 60В 0.8A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 323мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 101пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN015-60PS,127 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20.9нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN030-60YS,115 Транзистор полевой N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 24.7 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 686пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R7-60BS,118 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R0-60ES,127 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN5R5-60YS,115 Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3501пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 49Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N06LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD3055LE Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 131Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

RFP70N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 70А 60В, 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RK7002AT116 Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА Производитель: ROHM Корпус: SST3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 33пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSS065N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 6.5А 2Вт Производитель: ROHM Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.5A Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

SI1021R-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 190мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1022R-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 330мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"