Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (749)

NVD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055L170T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055L170T4G-VF01 Полевой транзистор N-канальный 60В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±15В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD5865NLT4G Полевой транзистор N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NVF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.6А 2.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.3нКл Входная емкость: 492пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVF3055L108T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVGS5120PT1G Транзистор полевой P-канальный 60В 2.5A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 111 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 18.1нКл Входная емкость: 942пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5826NLWFT1G Полевой транзистор N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 850пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5885NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 10.2A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 21нКл @ 10В Входная емкость: 1340пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5C604NLT1G Полевой транзистор N-канальный 60В 40A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

Акция

NVMFS5C680NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 27.5мОм Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21А Сопротивление открытого канала: 27.5мОм Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

NVR5198NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 5.1нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTWG Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLWFTAG Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1258пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5820NLTWG Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1462пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX7002BKR Транзистор полевой N-канальный 60В 0.27A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.27A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

NX7002BKWX Транзистор полевой N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SC-70 Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.24A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMBF170,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 369 шт

Цена от:

от 3,97₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"