Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (389)
IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
471 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 69,21
IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
462 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 42,22
Акция IRF7811AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1801пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 540 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 133,17
IRF7815TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1647пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 155 шт

Под заказ:
980 шт
Цена от:
от 78,52
IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
868 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 95,36
IRF7821TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 474 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,10
IRF7828TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A 8-SO Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 200 шт
Цена от:
от 39,28
IRF7832TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4310пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 635 шт

Под заказ:
800 шт
Цена от:
от 44,59
IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 8.3А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 39нКл @ 10В Входная емкость: 1640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 144 шт

Под заказ:
8 000 шт
Цена от:
от 64,50
IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
545 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 62,23
IRF8707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-SOIC, 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 9.3нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 350 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 23,14
IRF8714TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 927 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 34,12
IRF8721TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14А Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 984 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 33,73
IRF9321TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
9 474 шт

Под заказ:
7 705 шт
Цена от:
от 30,63
IRF9333TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 434 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 51,25
IRL6342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.9A 2.5Вт 0.0146Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.9A Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
902 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 20,43
P2003BVG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8А 2.5Вт Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
112 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,18
Акция STN1NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
44 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 26,59
2SK3746-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK4125-1E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"