Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (60)

IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 135A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 104А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 5110пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3205SPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 3247пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3710SPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 081 шт

Цена от:

от 64,25₽

IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 081 шт

Цена от:

от 61,55₽

Акция

IRF3808SPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 5310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 867 шт

Цена от:

от 95,96₽

IRF3808STRRPBF Транзистор полевой N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 106А Сопротивление открытого канала: 0.007Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 867 шт

Цена от:

от 132,79₽

IRF4905PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74А 200Вт Производитель: JSMicro Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74А Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 489 шт

Цена от:

от 69,01₽

IRFP3415PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 5150пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 88A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL1404ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL3803VPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 3720пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STH140N8F7-2 Транзистор полевой N-канальный 80В 90A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 6340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP140N8F7 Транзистор полевой N-канальный 80В 90A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 6340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW11NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 980 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"