Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (84)

FQP7P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 410 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF7P20 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR024NTRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL2703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 363 шт

Цена от:

от 95,59₽

Акция

IRLR024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

IRLR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

IRLR024NTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 65 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 5В Входная емкость: 480пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 19,02₽

IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN9R0-25MLC,115 Транзистор полевой N-канальный 25В 55A Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 8.65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.95В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB16NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD1NK80Z-1 Транзистор полевой N-канальный 800В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 16 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD2HNK60Z-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD2N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 2.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD2N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3LN62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 386пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 2.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 385пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3NK60Z-1 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.4 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11.8нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD4NK50Z-1 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"