Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (64)

STD3NK80ZT4 Транзистор полевой N-канальный 800В 2.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4NK60Z-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

727 шт

Цена от:

от 20,61₽

STD5N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 4.2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD5N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 3.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD80N4F6 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD86N3LH5 Полевой транзистор N-канальный 30В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STI4N62K3 MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2 Ом @ 1.9А, 10В Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 550пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STL40N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL8N10LF3 Транзистор полевой N-канальный 100В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFlat[тм] (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4А, 10В Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20.5нКл @ 10В Входная емкость: 970пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP2NK100Z Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 1.85 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.85A Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 499пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP2NK90Z Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 2.1 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP5N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STP8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 0.56 Ом, 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP9NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 745 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17.4нКл Входная емкость: 452пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU10NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU2NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.85A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.85A Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 499пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"