Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (99)

BUK964R2-55B,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Заряд затвора: 95нКл @ 5В Входная емкость: 10220пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18535KTTT Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200А Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19535KCS Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 101нКл Входная емкость: 7930пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB15N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 265нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA13N80_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12.6A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA19N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 18.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB065N15N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP120N20NFDAKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 84 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 6650пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2804SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

825 шт

Цена от:

от 147,87₽

IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7580пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2907ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 75А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

56 шт

Цена от:

от 468,42₽

Акция

IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 160А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

768 шт

Цена от:

от 303,74₽

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP064PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70А 300Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 7400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

485 шт

Цена от:

от 146,97₽

IRFS3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"