Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (76)
Акция IRFP9240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 12А 150Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC40PBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPE40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.4А 150Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPF40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPG40PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ48VPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 72А 190Вт, 0.018 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1985пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRL540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
NDP7060 Транзистор полевой N-канальный 60В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
PHP20NQ20T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2470пФ Тип монтажа: Through Hole
PHP45NQ10T,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 47A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN025-100D,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 61нКл @ 10В Входная емкость: 2600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция RFP70N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 70А 60В, 150Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole
STB100N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4369пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB11NM80T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB13NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB31N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 148 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1865пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB32N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 0.119 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 119 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3320пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"