Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (58)

Акция

IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ48GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 37A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3707ZPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

881 шт

Цена от:

от 70,43₽

IRFR9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9214TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU9214PBF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 2.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: I-Pak (TO-251AA) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL620PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

JCS10N60FT Транзистор полевой N-канальный 600В 9.5А 50Вт Производитель: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.5A Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

SPB04N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30NF03LT4 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD3NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 3.3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 188пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP25N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 25A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"