Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

NDS8425 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1098пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4166NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS5404T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 5.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 31.8 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 865пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3 Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3460DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4386DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4464DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7464DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIR836DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 15.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD16NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30NF03LT4 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD5NM60-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD5NM60T4 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"