Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (63)

PMXB65UPEZ Транзистор полевой P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 317мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB75UPEZ Транзистор полевой P-канальный 20В 2.9A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 317мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 608пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN014-40YS,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 702пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1416EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4128DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 10.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHU3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIS412DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 15.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ2389ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD12NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD26P3LLH6 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4NK50Z-1 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"