Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (60)

NTD4809NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4801NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 2201пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323CDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 3230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7415DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SPA04N60C3 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPB04N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD45N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 45 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL60N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP45N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 45A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 15A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"