Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (224)

Акция

IRLZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

363 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 69,84₽

Акция

PMBF170,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

40пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 202 шт

Внешние склады:

5 112 шт

Цена от:

от 2,88₽

STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

14.1нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

372 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 47,76₽

STP80NF12 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

120В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

98 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 287,70₽

IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 98,76₽

2N7002T Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT523F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002T-7-F Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

150мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

85 235 шт

Цена от:

от 1,00₽

2N7002W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

115мА

Сопротивление открытого канала:

7.5 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

85 235 шт

Цена от:

от 1,00₽

2SK2399(TE16L1,NQ) Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5 А

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2SK2615(TE12L,F) Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2 А

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AO3422 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.1A 3-Pin SOT-23

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

3.3нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

97 918 шт

Цена от:

от 4,62₽

AUIRLR2905 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC014N04LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC018NE2LSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC022N04LSATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TDSON-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP122,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.55A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

550мА

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP126,115 Транзистор полевой N-канальный 250В 375мА

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

375мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

170мА

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

2.5нКл

Входная емкость:

73пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

42 410 шт

Цена от:

от 1,08₽

BSS123-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0,3Вт

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

170мА

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

42 410 шт

Цена от:

от 1,08₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"