Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (232)
Акция IRLZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
729 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 77,02
Акция PMBF170,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 257 шт

Под заказ:
5 112 шт
Цена от:
от 3,96
STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14.1нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 173 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 52,63
STP80NF12 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 347,67
2N7002T Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT523F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002T-7-F Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
89 249 шт
Цена от:
от 1,02
2N7002W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
89 249 шт
Цена от:
от 1,02
2SK2399(TE16L1,NQ) Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
2SK2615(TE12L,F) Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция AO3422 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.1A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.3нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
14 850 шт
Цена от:
от 2,46
AUIRLR2905 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSC018NE2LSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSC022N04LSATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TDSON-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSP122,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.55A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSP126,115 Транзистор полевой N-канальный 250В 375мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 375мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0,3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 21.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"