Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (374)

DMN6068SE-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10.3нКл Входная емкость: 502пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN6140L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP10H400SK3-13 Транзистор полевой P-канальный 100В 9A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17.5нКл Входная емкость: 1239пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4050SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13.9нКл Входная емкость: 674пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 265нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3535 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 183 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 763пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC610PZ Транзистор полевой P-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1005пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC654P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 298пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC655BN Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC658AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30V, 4A 1,6Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC658P Транзистор полевой P-канальный 30В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC855N Транзистор полевой N-канальный 30В 6.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 655пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD14AN06LA0_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2775пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4141_F085 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2775пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"