Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (158)

DMN26D0UT-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2990UFA-7B Полевой транзистор N-канальный 20В 0.51A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 3-X2-DFN0806 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 510мА Сопротивление открытого канала: 990 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.5нКл Входная емкость: 27.6пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2990UFZ-7B Транзистор полевой N-канальный 20В 0.25A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0606-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 990 мОм Мощность макс.: 320мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.5нКл Входная емкость: 55.2пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3300U-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 193пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN55D0UT-7 Полевой транзистор N-канальный 50В 0.16A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 160мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 25пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN5L06K-7 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 300 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP1045U-7 Транзистор полевой P-канальный 12В 4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1357пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP1555UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 12В 0.2A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.84нКл Входная емкость: 55.4пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2004K-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 600мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 550мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMP2035U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 810мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15.4нКл Входная емкость: 1610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP210DUFB4-7 Полевой транзистор P-канальный 20В 0.2A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN1006-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP21D2UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.33A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 49пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP21D5UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.7A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 970 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 500нКл Входная емкость: 46.1пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA905P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC510P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME510PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8433A Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"