Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (94)
FDB8443 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Ta),120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 185нКл @ 10В Входная емкость: 9310пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8 Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-PSOF Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 169A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 90нКл @ 10В Входная емкость: 5805пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86200DC Полевой транзистор N-канальный 150В 9.3A POWER 56 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 17 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 42нКл @ 10В Входная емкость: 2955пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 107нКл @ 10В Входная емкость: 5870пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 6000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 176Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 74нКл @ 10В Входная емкость: 3190пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 11.4А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 945пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 590пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 15A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1100пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 1030пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF1404LPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF1404STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
800 шт.
Цена от:
от 141,19
IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм @ 78А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 250нКл @ 10В Входная емкость: 5600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 135A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 104А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 5110пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 62A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF3205ZLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 081 шт
Цена от:
от 61,55
IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 44 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"