Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount(4)
Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (63)

IRFSL7437PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL7440PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SPA04N60C3 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPB04N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPB17N80C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPB20N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 20.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD02N80C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 2A 3TO252 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD07N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD08N50C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPI08N80C3XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP02N60C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP04N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP07N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 7.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP12N50C3XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 500В 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"