Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (202)

2N7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

89 249 шт

Цена от:

от 1,01₽

Новинка

2V7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

2V7002LT3G Транзистор полевой N-канальный 60В 0.115A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

2V7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AO4498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 44.5нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6414A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRLR3114Z Транзистор полевой N-канальный 40В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 3810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

247 шт

Цена от:

от 136,73₽

AUIRLS3036-7P Транзистор полевой N-канальный 60В 300A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 11270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLS4030-7P Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 11490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BS270 Транзистор полевой N-канальный 60В 400мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

DMG4435SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 7.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35.4нКл Входная емкость: 1614пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG7430LFG-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.5A Aвтомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI3333-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 26.7нКл Входная емкость: 1281пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN601TK-7 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4015SK3Q-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 14 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4015SPS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 8.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 93A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD850N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 28.9нКл Входная емкость: 1465пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"