Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (72)

BUK964R8-60E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 9710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 824пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 26.8нКл Входная емкость: 4077пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y6R0-60E,115 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 39.4нКл Входная емкость: 6319пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG3420U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 5.47A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.47A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 740мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 434.7пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG6968U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 810мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 151пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2004WK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN6140L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2305U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 7.6нКл Входная емкость: 727пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMP3098L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Входная емкость: 336пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4015SK3Q-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 14 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 265нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4685 Транзистор полевой N-канальный 40В 32А 27 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055L170T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVF3055L108T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3008PBK,215 Транзистор полевой P-канальный 30В Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.72нКл Входная емкость: 46пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3020NAK,215 Транзистор полевой N-канальный 30В 200мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.44нКл Входная емкость: 48пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NX3020NAKW,115 Транзистор полевой N-канальный 30В 180мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.44нКл Входная емкость: 48пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV75UP,215 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 102 мОм Мощность макс.: 490мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"