Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (86)

FDP3682 Транзистор полевой N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDT434P Транзистор полевой P-канальный 20В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1187пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA6N90C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.3 Ом

Мощность макс.:

198Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.3 Ом

Мощность макс.:

167Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.3 Ом

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9P25 Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

620 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R660CFDATMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

660 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R660CFD Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

660 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR825PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.3 Ом

Мощность макс.:

119Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1346пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR825TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.3 Ом

Мощность макс.:

119Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1346пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой P-канальный 60В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1258пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTWG Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

31.8 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323CDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

8В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

424пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2342DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 6 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

8В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

15.8нКл

Входная емкость:

1070пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"