Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (86)

FDT434P Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1187пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA6N90C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9P25 Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R660CFDATMA1 Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R660CFD Полевой транзистор N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 660 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR825PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1346пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR825TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1346пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5116PLTWG Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 31.8 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 865пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323CDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2342DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"