Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (66)

HUF75545S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75645P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75645S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75652G3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 515Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 475нКл Входная емкость: 7585пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPZ65R019C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 700В 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 700В Ток стока макс.: 75A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF1010EZSTRLP Полевой транзистор N-канальный 60В 84A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1010ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55V Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 mOhm Мощность макс.: 140W Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 4V Заряд затвора: 95nC Входная емкость: 2840pF Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1010ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1503PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 5730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2804SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

825 шт

Цена от:

от 147,70₽

IRF2807ZSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL1404ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3705ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDP7060 Транзистор полевой N-канальный 60В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN009-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 8250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN009-100P,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 8250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN015-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"