Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (75)

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR024NTRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR15N20DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR15N20DTRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL530NSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17А 3.8Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 184 шт

Цена от:

от 103,04₽

IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLI540G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

IRLR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

25 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

Акция

IRLR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

652 шт

Цена от:

от 15,44₽

IRLZ24PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NVTFS4C08NTWG Полевой транзистор N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 18.2нКл Входная емкость: 1113пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN069-100YS,115 Полевой транзистор, N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 72.4 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 645пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPA17N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A TO220FP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPB17N80C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 17A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"