Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (58)
IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT3055 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT3055L Транзистор полевой N-канальный 60В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1441EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 12В 4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1443EDH-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 28нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI3443DDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 970пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP04N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole
STB4NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK60Z-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
STD5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STF5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
STN3NF06 Полевой транзистор N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
STN4NF06L Полевой транзистор N-канальный 60В 4A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STP5N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STU5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"