Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (68)

IPB020NE7N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 75В 120A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPB029N06N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPB120N04S401ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPB120N04S402ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

485 шт

Цена от:

от 146,97₽

Акция

IRFS3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 752 шт

Цена от:

от 152,42₽

IRFS3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 658 шт

Цена от:

от 36,73₽

IRFSL7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLR3717TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 2830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

124 шт

Цена от:

от 81,25₽

IXTK120N25P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 (IXTK) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 243нКл Входная емкость: 14850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN1R7-60BS,118 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R0-60ES,127 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой N-канальный 80В 120A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 139нКл Входная емкость: 9961пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"