Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (70)
Акция IRF740ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF740BPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 526пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF740LCPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF740SPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF740STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 135Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFD320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 490мА Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI720GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GLCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI740GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP350LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP350PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP360LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR310PBF Транзистор полевой N-канальный 400В 1.7А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310PBF MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"