Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFR13N20DTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 235 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 830пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR220NTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 2.9А, 10В
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 23нКл @ 10В
Входная емкость: 300пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9N20DTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.4А 86Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.4А
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS38N20DTRLP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 54 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4227TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 62A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 4600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4620TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 77.5 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 1710пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLML2402
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A SOT-23
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 4.2А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
KF4N20LD-RTF/HS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3,6А 31Вт
Производитель: Korea Electronics
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3,6A
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
PHP20NQ20T,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 2470пФ
Тип монтажа: Through Hole
STN4NF20L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 3.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 0.9нКл
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2SJ79
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 0.5 А, 30 Вт
Производитель: Hitachi Ltd.
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 0.5A
Мощность макс.: 30 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SK216
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.5 А, 30 Вт (комплементарная пара 2SJ79)
Производитель: Hitachi Ltd.
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 0.5A
Мощность макс.: 30 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2161
Транзистор полевой N-канальный 200В 9А 25Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9A
Мощность макс.: 25 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2221
Транзистор полевой N-канальный 200В 8А 100Вт
Производитель: Hitachi Ltd.
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 100 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2381
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5 А, 25 Вт (Recommended replacement: TK9A20DA)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5A
Мощность макс.: 25 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3596
Транзистор полевой N-канальный 200В 30А 135Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 30A
Мощность макс.: 35 Вт
Тип транзистора: N-канал
AOD450
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8А 12Вт
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 700 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 6В
Заряд затвора: 3.82нКл
Входная емкость: 215пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4620
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 24 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR4620TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 78 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 1710пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
BS108ZL1G
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 250мА
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.