Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (264)
IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 487 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 167,45
IRFR13N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
39 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,30
Акция IRFR220NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 2.9А, 10В Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 23нКл @ 10В Входная емкость: 300пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 385 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 049 шт
Цена от:
от 67,77
IRFR4620TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 396,94
IRFR9N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.4А 86Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.4А Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 662 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,94
IRFS38N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
813 шт

Под заказ:
1 100 шт
Цена от:
от 142,47
IRFS4227TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 372 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 109,04
IRFS4620TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 77.5 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1710пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 602 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 100,49
KF4N20LD-RTF/HS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3,6А 31Вт Производитель: Korea Electronics Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3,6A Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
310 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,07
PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 8.7A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 959пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
146 шт
Цена от:
от 196,26
STD20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
350 шт
Цена от:
от 141,55
STN4NF20L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 399 шт

Под заказ:
840 шт
Цена от:
от 26,02
WMM340N20HG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 200В, ток стока 50А Производитель: Wayon Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 50А Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
799 шт

Под заказ:
1 587 шт
Цена от:
от 100,25
2SJ79 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 0.5 А, 30 Вт Производитель: Hitachi Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.5A Мощность макс.: 30 Вт Тип транзистора: P-канал
2SK216 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.5 А, 30 Вт (комплементарная пара 2SJ79) Производитель: Hitachi Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.5A Мощность макс.: 30 Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2161 Транзистор полевой N-канальный 200В 9А 25Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Мощность макс.: 25 Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2221 Транзистор полевой N-канальный 200В 8А 100Вт Производитель: Hitachi Ltd. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 100 Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2381 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5 А, 25 Вт (Recommended replacement: TK9A20DA) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Мощность макс.: 25 Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3596 Транзистор полевой N-канальный 200В 30А 135Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 30A Мощность макс.: 35 Вт Тип транзистора: N-канал
AOD450 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8А 12Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D-Pak (TO-252) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.82нКл Входная емкость: 215пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"