Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
2SK3569
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 45Вт (рекомендуемая замена: TK10A60D, TK750A60F)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3767
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 25Вт (рекомендуемая замена: TK3A60DA)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3797
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13А 50Вт (рекомендуемая замена: TK13A60D)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK4098
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 33Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6A
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK4110
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 40Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6A
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
BSP125H6327XTSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.12A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 0.12A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
BSP135H6327
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.12A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 0.12A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BSS126H6327
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0,021А 0.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 021A
Мощность макс.: 0.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BSS127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.021А 0.5Вт
Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 0.021А
Мощность макс.: 0.5Вт
Тип транзистора: N-канальный
BSS127H6327XTSA2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.021А 0.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 021A
Мощность макс.: 0.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BSS225H6327FTSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.09А 1Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 0.09A
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
IPN60R3K4CEATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-SOT223-4
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.6A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPP60R099C6XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.9A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPP60R180C7XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13А
Мощность макс.: 68Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPW60R070C6FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 53A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 391Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW60R070P6XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53А 391Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 53A
Мощность макс.: 391Вт
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPW60R120C7XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19A TO247-3
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 19А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPW60R160C6FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.8А 176Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.8A
Мощность макс.: 176Вт
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IRG4BC20SPBF
Транзистор биполярный IGBT 600В 19A 60Вт TO220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 19А
Мощность макс.: 60Вт
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.