Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (56)
IRFH4210DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 44A(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.10 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 100 µA Заряд затвора: 77нКл @ 10В Входная емкость: 4812пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH4253DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 64A/145A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 64A,145A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 30А, 10В Мощность макс.: 31Вт, 50Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8259PBF Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
NTD14N03RT4G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 1.04Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 115пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD4858NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 11.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 11.2A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 19.2нКл Входная емкость: 1563пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4H01NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 334А SO8FL Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 334А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
NTS4409NT1G Транзистор полевой N-канальный 25В 700мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVJS4405NT1G Транзистор полевой N-канальный 25В 1A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 630мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVS4409NT1G Полевой транзистор N-канальный 25В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN0R7-25YLDX Полевой транзистор N-канальный 25В 300A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 300A Сопротивление открытого канала: 0.72 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 110.2нКл Входная емкость: 8320пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R2-25YL,115 Транзистор полевой N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 121Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 6380пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN9R0-25MLC,115 Транзистор полевой N-канальный 25В 55A Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 8.65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.95В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4116DY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 25В 18A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1925пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4116DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 25В 18A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1925пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIR438DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"