Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (114)
FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 101нКл @ 10В Входная емкость: 7280пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP51N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 51A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 320Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3410пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF44N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 44A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 28А Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канальный
Акция FDPF51N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 28А 33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 28А Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канальный
FDS2734 Транзистор полевой N-канальный 250В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQA27N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 27 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA40N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA55N25 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6250пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA62N25C Транзистор полевой N-канальный 250В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 298Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 6280пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA9P25 Транзистор полевой P-канальный 250В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
FQD16N25CTM Транзистор полевой N-канальный 250В 16А 270 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53.5нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4N25TM_WS Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.75 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P25TM_WS Транзистор полевой P-канальный 250В 3.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD9N25TM Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQI27N25TU Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP27N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 25.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP9P25 Транзистор полевой P-канальный 250В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"